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導電型4H-SiC襯底晶片
提4~6英寸導電型4H-SiC襯底晶片，產品主要用于制造SiC電力電子器件及SiC襯底上GaN光電子器件。
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提供4、6英寸n型4H-SiC外延晶片，產品主要用于制造JBS、MOSFET和JFET等碳化硅器件。
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提供4~6英寸半絕緣型4H-SiC襯底晶片，產品主要用于制造高功率GaN微波射頻器件。
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